RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
46
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
15.2
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3040
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link