RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
46
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
8.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2186
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link