RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
60
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
11.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2660
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link