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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
60
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
12.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3289
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
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Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
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