Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Gesamtnote

SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Unterschiede

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 4

Durchschnittswert bei den Tests

SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

64 65

Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,793.8 2,784.6

Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S5 2GB

Wichtigste Merkmale

Speicherart

DDR2 DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns

65 64
Lesegeschwindigkeit, GB/s

4,806.8 4,498.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,784.6 2,793.8
Speicherbandbreite, mbps

6400 6400

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

932 786

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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