RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
77
Rund um -166% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2960
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link