RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
77
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
8.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2159
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link