RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
36
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
13.5
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
3512
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link