Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Gesamtnote
star star star star star
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Unterschiede

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    35 left arrow 36
    Rund um -3% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.1 left arrow 15
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.3 left arrow 10.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 17000
    Rund um 1.25 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    36 left arrow 35
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.0 left arrow 15.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.3 left arrow 11.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2569 left arrow 2631
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche