RAM-Vergleich Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Gesamtnote

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

36 49

Rund um 27% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.8 11.0

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 21300

Rund um 1.2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2497 2534

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns