RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
41
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
15.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
3721
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link