RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3377
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link