RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
6.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
1914
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link