RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.6
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2169
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link