RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
11.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2854
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link