Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gesamtnote
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Unterschiede

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 72
    Rund um 61% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.3 left arrow 12.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 7.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 8500
    Rund um 2.26 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    28 left arrow 72
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 15.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.5 left arrow 8.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1988 left arrow 1817
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche