RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
56
Rund um -155% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
3178
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link