RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
34
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2275
1718
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link