RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
39
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2958
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
OCZ OCZ2RPX8002G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link