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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
52
Rund um 46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
2169
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
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