RAM-Vergleich Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Gesamtnote

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 49

Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.5 10.9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.5 8.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 17000

Rund um 1.51 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2427 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns