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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
49
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
6.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
1890
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
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Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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