RAM-Vergleich Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Gesamtnote

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

54 61

Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

10.4 8.2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.2 6.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

23400 21300

Rund um 1.1 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Timings / Taktgeschwindigkeit

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1813 2259

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns