RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
98
Rund um 55% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
98
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
1447
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link