RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
47
Rund um -135% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
3244
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link