RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
47
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
2998
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link