RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
3461
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link