RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
42
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
10.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
2701
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link