RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
54
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2301
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link