RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
54
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
3093
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link