RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2277
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link