RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
54
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2176
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix JICRBOOAN-8G1600PC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link