RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
104
Rund um -197% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
8.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2457
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link