RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
52
104
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
7.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2260
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Mushkin 996902 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link