RAM-Vergleich Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Inmos + 256MB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Inmos + 256MB

Gesamtnote

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 11.5

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 65

Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.1 1,574.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

16800 5300

Rund um 3.17 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Inmos + 256MB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

607 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns