RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
74
Rund um -174% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
13.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3399
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link