RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
73
Rund um -115% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
11.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2917
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link