RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
73
Rund um -217% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.6
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
17.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
4000
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link