RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
73
Rund um -181% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
13.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3406
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link