RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
73
Rund um -128% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
12.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3023
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link