RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
73
Rund um -128% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
12.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3083
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link