RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
60
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
12.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2359
2417
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link