RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
85
Rund um 72% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
85
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2196
1772
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link