RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
45
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2652
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link