RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
47
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3606
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link