RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
62
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
6.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
1586
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link