RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
47
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
2988
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link