RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
41
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
2865
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link