RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
9.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2202
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link