RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
38
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.2
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.0
9.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
915
2888
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link